Am Kärntner Standort Villach schafft Infineon eine skalierbare Fertigungsplattform für. Galliumnitridbasierte Leistungschips auf großformatigen 300-Millimeter-Wafern entstehen dort künftig industriell. Für die Umrüstung bestehender Reinraumflächen stehen 1,1 Milliarden Euro bereit. Der Finanzierungszeitraum erstreckt sich nach Planung bis zum Jahr 2034. Ende 2027 soll die neue Fertigung ihren Betrieb aufnehmen. Sie zielt auf effizientere Stromversorgungslösungen für anspruchsvolle Zukunftsanwendungen in Europa. Zusätzliche Mengen werden ausschließlich entsprechend der tatsächlich erwarteten Nachfrage hochgefahren.
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Villach wird Zentrum für industrielle GaN-Skalierung auf 300 Millimetern
Am Standort Villach baut Infineon eine zukunftsfähige GaN-Fertigungsbasis gezielt auf. Produziert werden Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern für umfangreiche Serienvolumina im Markt. Der größere Durchmesser erhöht die Zahl verfügbarer Chipflächen spürbar erheblich. Dadurch lassen sich Skaleneffekte und effiziente Abläufe besser künftig nutzen. Die Anlage bildet eine Grundlage für nachfolgende GaN-Produktgenerationen im Unternehmen. Villach gewinnt damit zusätzliches Gewicht innerhalb des weltweiten Leistungshalbleiternetzwerks dauerhaft. Fertigung, Prozesswissen und technologische Expertise werden dort langfristig gebündelt ausgebaut.
Bestehende Reinräume in Villach ermöglichen kosteneffizienten Ausbau der Fertigung
Am Standort Villach greift Infineon für die geplante Erweiterung auf bereits vorhandene Reinräume zurück. Die Flächen werden modernisiert und für die Fertigung von Galliumnitrid Leistungshalbleitern technisch vorbereitet. Weil zentrale Gebäudestrukturen und Versorgungseinrichtungen weitergenutzt werden, sinken Bauaufwand, Zeitbedarf und Kosten gegenüber einem vollständigen Neubau. Zugleich ermöglicht die vorhandene Infrastruktur einen stufenweisen Kapazitätsausbau. Die Produktionsmenge kann damit entsprechend der Marktentwicklung bedarfsgerecht erhöht oder angepasst werden. Dies bleibt für das Unternehmen langfristig planbar.
Effiziente GaN-Halbleiter senken Energiebedarf von KI-Rechenzentren und Elektrofahrzeugen deutlich
GaN-Bauelemente verbessern Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit niedrigeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften fördern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung bedient daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Infineon baut GaN-Kapazitäten in Villach bedarfsgerecht bis 2034 aus
Infineon plant, die Fertigung von GaN-Leistungshalbleitern in Villach zum Ende des Jahres 2027 zu beginnen. Bis zum Jahr 2034 soll das Unternehmen rund 1,1 Milliarden Euro in den schrittweisen Ausbau investieren. Die Erweiterung der Produktionskapazität richtet sich nicht allein nach technischen Vorgaben, sondern nach der realen Entwicklung des Absatzmarktes. So lässt sich die verfügbare Menge an Bauelementen bedarfsgerecht erhöhen, begrenzen oder an veränderte Marktbedingungen während des Hochlaufs anpassen.
319 Millionen Euro stärken Europas Produktion moderner Leistungshalbleiter nachhaltig
Die öffentliche Unterstützung von 319 Millionen Euro ist ein zentraler Baustein der europäischen Industriepolitik für Halbleiter. Sie ermöglicht Infineon, bestehende Reinräume in Villach für eine großskalige Produktion moderner Leistungshalbleiter umzurüsten. Im Rahmen des Europäischen Chips Acts fördert die Maßnahme den Aufbau zusätzlicher Fertigungskapazität in Europa. Dadurch können strategisch wichtige Technologien näher an europäischen Absatzmärkten produziert werden. Das Vorhaben verbessert die Resilienz der Lieferketten, stärkt Know-how und schafft Voraussetzungen für Wachstum.
Das Projekt nutzt vorhandene Reinraumflächen für eine neue GaN-Fertigung vollständig. Die Umrüstung bestehender Infrastruktur vermeidet einen umfangreichen vollständigen Neubau weitgehend. 300-Millimeter-Wafer ermöglichen hohe Stückzahlen bei industrieller Prozessstabilität und Effizienz zugleich. Villach festigt damit seine Rolle als europäisches Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter weiter. Die Produktion richtet ihren Hochlauf konsequent nach der Marktnachfrage aus. Dies verbessert die Versorgung wichtiger Branchen mit modernen Halbleiterlösungen dauerhaft. Europäische Fördermittel unterstützen Investitionen und reduzieren strategische Beschaffungsrisiken langfristig deutlich.
