Mit der Hochstrominduktivität WE-HCMD profitieren Ingenieure von einer exzellenten Leistung bei minimalem Verlustwiderstand von 0,125 m? und Kopplungsfaktor bis 0,98. Die MnZn-Kern-Spule schaltet mit schnellem Einschwingen und reduziert Spannungseinbrüche selbst bei hohen Stromspitzen bis 190 A bei 125 °C. Dank der verbesserten Effizienz sinkt der Bedarf an Ausgangskondensatoren, wodurch Platzbedarf und Systemkosten drastisch verringert werden. Sie ist prädestiniert für Multi-Phase-Designs in KI- und FPGA-Anwendungen. Zudem unterstützt sie CPU-Motherboards, GPUs und Hochleistungs-ASICs gleichermaßen zuverlässig.
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MnZn-Kern Induktivität WE-HCMD mit 0,125 m? RDC, extrem effizient
Die Spulen bestehen aus Flachdraht, wobei die innere isoliert ist. (Foto: Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG)
Während herkömmliche Induktivitäten in mehrstufigen Spannungswandlern an Grenzen stoßen, setzt die WE-HCMD neue Maßstäbe. Ihr MnZn-Material bietet eine hohe Permeabilität, kombiniert mit einem exzellenten Koppelfaktor von bis zu 0,98. Der interne Widerstand beträgt lediglich 0,125 m?, wodurch Verluste minimiert werden. Mit Induktivitätswerten von 70 nH bis 200 nH, einem Nennstrom von 78 A und einem Sättigungsstrom von 190 A überzeugt sie durch beständige Performance bei erhöhten Temperaturen bis 125 °C.
Hohe Permeabilität und optimiertes Material minimieren Verluste, maximieren Leistungsdichte
Durch den extrem niedrigen Verlustwiderstand dank optimierter Materialauswahl im MnZn-Kern zeichnet sich die WE-HCMD-Induktivität durch optimale Effizienz in TLVR-Systemen aus. Der schnelle Einschwingprozess sorgt für minimale Spannungsabfälle bei plötzlichen Lastwechseln und stabilisiert die Ausgangsspannung. Gleichzeitig lässt sich der Platzbedarf reduzieren, da kleinere Ausgangskondensatoren ausreichend sind. Diese Kombination aus hoher Leistungsdichte, schneller Reaktion und kompakter Bauform führt zu geringeren Kosten und höherer Systemstabilität. Entwickler profitieren von verbesserter thermischer Performance hohen Umgebungstemperaturen.
Neue Hochstromspule optimiert TLVR-Topologien für schnelle Lastwechsel und Effizienz
In KI-orientierten FPGA-Anwendungen provozieren rasche Lastwechsel starke transient Belastungen, die herkömmliche Spannungsregler an ihre Grenzen bringen. Die WE-HCMD-Induktivität liefert dank niedrigem RDC und MnZn-Kernkoppelung eine konstante Wirkungsgradeffizienz bei Spitzentemperaturen bis 125 °C. Durch die geringe Sättigung und hervorragende Kopplungsqualität ermöglicht sie TLVR-Architekturen, Spannungseinbrüche zu minimieren und stabile Ausgangsspannungen selbst bei extremen Stromschwankungen und dynamischen Workloads aufrechtzuerhalten. Ihre kompakte Bauweise senkt Platzbedarf, reduziert Filteranforderungen und optimiert Kosteneffizienz in Mehrphasen-Designs leistungsstark verlässlich robust.
Koppelte MnZn-Induktivitäten ermöglichen effiziente Spannungsregelung unter dynamischen extremen Lastwechseln
WE-HCMD-Induktivitäten wurden für komplexe Multi-Phase-Spannungsversorgungen ausgelegt und bieten Lösungen für CPU-Motherboards, GPUs, FPGAs, KI-Chips, Server und ASIC-Anwendungen. Durch gekoppelte Magnetfelder minimieren sie Verzögerungen zwischen einzelnen Phasen und sichern konstante Ausgangsspannungen bei Lastspitzen. Das reduziert Störfaktoren deutlich und schützt empfindliche Halbleiter vor Unterspannung. Gleichzeitig ermöglichen die kompakten Bauformen eine flexible Integration, sparen PCB-Fläche und vereinfachen die thermische Gestaltung in anspruchsvollen Power-Designs. Entwickler genießen verbesserte Effizienz, reduziertes Rauschen und kompaktes optimiertes Layout.
Sättigungsstrom bis 190A und 0,125m? für extrem stabile Induktivität
Zehn Modelle der WE-HCMD-Produktreihe verteilen sich auf zwei Bausteingrößen: vier Induktivitäten im kompakten 0910-Gehäuse und sechs im größeren 1111-Format. Bei Umgebungstemperaturen bis 125 °C liefern sie einen Nennstrom von 78 A und erreichen Sättigungsströme bis 190 A. Der extrem niedrige DC-Widerstand von nur 0,125 m? minimiert Leistungsverluste und sichert eine konstante Induktivität selbst unter hoher thermischer Belastung und starker Strombeanspruchung. Über einen weiten Frequenzbereich sowie dynamische Lastwechsel meistert sie zuverlässig.
Kostenlose WE-HCMD Muster ab Lager verfügbar für Entwickler jetzt
Alle SMT-bestückbaren Varianten der WE-HCMD-Serie stehen ab Lager ab sofort zur Verfügung, ohne dass eine Mindestabnahme erforderlich ist. Entwickler können ohne finanzielles Risiko kostenfreie Muster bestellen und unmittelbar mit der Evaluierung dieser Hochstrominduktivitäten in TLVR-Layouts beginnen. Die unkomplizierte Bemusterung unterstützt schnelle iterativen Tests, optimierte Schaltungsparameter sowie einen beschleunigten Prototypenbau. Dadurch lassen sich Designzyklen straffen und Effizienzgewinne frühzeitig demonstrieren, bevor größere Fertigungsaufträge ausgelöst werden. Dies erhöht die Projektgeschwindigkeit und reduziert Risiken.
Sofort verfügbare WE-HCMD-Induktivitäten sichern starke, optimale Leistung in Power-Designs
Mit der WE-HCMD-Serie präsentiert Würth Elektronik eine hochintegrierte Induktivitätslösung, die speziell für Trans-Inductor Voltage Regulator-Designs optimiert ist. Der geringe DC-Widerstand von nur 0,125 m? und die hohe Kopplung sorgen für minimale Verluste und schnelle Lastanpassung bei bis zu 190 A Sättigungsstrom und 78 A Nennstrom. Anwender profitieren von reduziertem Platzbedarf, niedrigeren Kapazitätsanforderungen und konstanter Effizienz in CPU-, GPU-, FPGA- und KI-basierten Systemen. Das robuste Design gewährleistet Langzeitstabilität unter extremen Bedingungen.
